型号 |
SI8424DB-T1-E1 |
厂商 |
Vishay Siliconix |
描述 |
MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP |
SI8424DB-T1-E1 PDF |
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代理商 |
SI8424DB-T1-E1
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产品目录绘图 |
DB-T1-E1 Series 4-MFP
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特色产品 |
MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V
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标准包装 |
1 |
系列 |
TrenchFET® |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点 |
逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss) |
8V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
12.2A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
31 毫欧 @ 1A,4.5V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
1V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
33nC @ 5V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
1950pF @ 4V
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功率 - 最大 |
6.25W
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安装类型 |
表面贴装
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封装/外壳 |
4-XFBGA,CSPBGA
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供应商设备封装 |
4-Microfoot
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包装 |
剪切带 (CT)
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产品目录页面 |
1660 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称 |
SI8424DB-T1-E1CT
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